宽禁带半导体市场前十生产商排名、市场占有率分析报告2025

宽带隙半导体是指采用宽带隙材料（碳化硅 SiC、氮化镓 GaN）制造的电力电子器件和模组，这些材料具有比传统硅基材料更宽的禁带宽度，能够在更高的温度、电压和频率下工作，展现出更低的导通电阻、更高的效率及更小的体积，广泛应用于高效能电源转换、电动汽车、可再生能源系统等领域。本文统计了宽带隙半导体器件和模组市场。 据 GIR (Global Info Research)调研，2024 年全球宽禁带半导体收入大约 2453 百万美元，预计 2031 年达到 14030 百万美元，2025 至 2031 期间，年复...