QYResearch 调研显示，2024 年全球 N 沟道功率 MOSFET 市场规模大约为 50.27 亿美元，预计 2031 年将达到 73.93 亿美元，2025-2031 期间年复合增长率（CAGR）为 6.5%。未来几年，本行业具有很大不确定性，本文的 2025-2031 年的预测数据是基于过去几年的历史发展、行业专家观点、以及本文分析师观点，综合给出的预测。
N 沟道功率 MOSFET 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管，具有 N 型导电沟道。它主要通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流通断，具有高输入阻抗、低导通电阻、开关速度快等特性。
2024 年中国占全球市场份额为 %，美国为 %，预计未来六年中国市场复合增长率为 %，并在 2031 年规模达到 百万美元，同期美国市场 CAGR 预计大约为 %。未来几年，亚太地区的重要市场地位将更加凸显，除中国外，日本、韩国、印度和东南亚地区，也将扮演重要角色。此外，未来六年，预计德国将继续维持其在欧洲的领先地位，2025-2031 年 CAGR 将大约为 %。
生产层面，目前 是全球最大的 N 沟道功率 MOSFET 生产地区，占有大约 % 的市场份额，之后是 ，占有大约 % 的市场份额。目前全球市场，基本由 和 地区厂商主导，全球 N 沟道功率 MOSFET 头部厂商主要包括 Infineon、ON Semiconductor、STMicroelectronics、Toshiba Electronics、Vishay 等，前三大厂商占有全球大约 % 的市场份额。
本报告研究“十四五”期间全球及中国市场 N 沟道功率 MOSFET 的供给和需求情况，以及“十五五”期间行业发展预测。
重点分析全球主要地区 N 沟道功率 MOSFET 的产能、销量、收入和增长潜力，历史数据 2020-2024 年，预测数据 2025-2031 年。
本文同时着重分析 N 沟道功率 MOSFET 行业竞争格局，包括全球市场主要厂商竞争格局和中国本土市场主要厂商竞争格局，重点分析全球主要厂商 N 沟道功率 MOSFET 产能、销量、收入、价格和市场份额，全球 N 沟道功率 MOSFET 产地分布情况、中国 N 沟道功率 MOSFET 进出口情况以及行业并购情况等。
此外针对 N 沟道功率 MOSFET 行业产品分类、应用、行业政策、产业链、生产模式、销售模式、行业发展有利因素、不利因素和进入壁垒也做了详细分析。
全球及中国主要厂商包括：
Infineon
ON Semiconductor
STMicroelectronics
Toshiba Electronics
Vishay
Sensitron Semiconductor
Nexperia
Onsemi
Microchip Technology
NXP
SLKOR Semiconductor
Vbsemi
TI
Greegoo
Semipower
按照不同产品类型，包括如下几个类别：
N 沟道增强型 MOSFET
N 沟道耗尽型 MOSFET
按照不同应用，主要包括如下几个方面：
汽车电子
电源管理
工业控制
消费电子
本文包含的主要地区和国家：
北美（美国和加拿大）
欧洲（德国、英国、法国、意大利和其他欧洲国家）
亚太（中国、日本、韩国、中国台湾地区、东南亚、印度等）
拉美（墨西哥和巴西等）
中东及非洲地区（土耳其和沙特等）
本文正文共 12 章，各章节主要内容如下：
第 1 章：报告统计范围、产品细分、下游应用领域，以及行业发展总体概况、有利和不利因素、进入壁垒等；
第 2 章：全球市场供需情况、中国地区供需情况，包括主要地区 N 沟道功率 MOSFET 产量、销量、收入、价格及市场份额等；
第 3 章：全球主要地区和国家，N 沟道功率 MOSFET 销量和销售收入，2020-2025，及预测 2026 到 2031；
第 4 章：行业竞争格局分析，包括全球市场企业排名及市场份额、中国市场企业排名和份额、主要厂商 N 沟道功率 MOSFET 销量、收入、价格和市场份额等；
第 5 章：全球市场不同类型 N 沟道功率 MOSFET 销量、收入、价格及份额等；
第 6 章：全球市场不同应用 N 沟道功率 MOSFET 销量、收入、价格及份额等；
第 7 章：行业发展环境分析，包括政策、增长驱动因素、技术趋势、营销等；
第 8 章：行业供应链分析，包括产业链、主要原料供应情况、下游应用情况、行业采购模式、生产模式、销售模式及销售渠道等；
第 9 章：全球市场 N 沟道功率 MOSFET 主要厂商基本情况介绍，包括公司简介、N 沟道功率 MOSFET 产品规格型号、销量、价格、收入及公司最新动态等；
第 10 章：中国市场 N 沟道功率 MOSFET 进出口情况分析；
第 11 章：中国市场 N 沟道功率 MOSFET 主要生产和消费地区分布；
第 12 章：报告结论。