功率GaN器件行业报告:市场规模与发展趋势分析2025-2031

2025 年 5 月，LP Information(路亿市场策略)调研团队最新发布的《全球功率 GaN 器件市场增长趋势 2025-2031》，该报告全面深入研究全球功率 GaN 器件市场的收入以及各个细分行业规模及趋势，重点关注全球主要生产商及其收入、毛利率、市场份额、产品及服务、最新发展动态等。

出版商：路亿(广州)市场策略有限公司（LP Information）

氮化镓（GaN）功率半导体器件是一种基于 III–V 族宽禁带材料的器件，具有 3.4 eV 的直接禁带、较高的击穿电压、高电子迁移率及优异的热导率，因此能够在高功率、高频率领域实现高效能量转换和散热。目前商用的 GaN 功率器件主要是横向高电子迁移率晶体管（HEMT），可分为耗尽型（d‑GaN）和增强型（e‑GaN），也常与低压硅 MOSFET 构成级联封装以实现本征关断。其主要应用领域涵盖数据中心及通信基础设施的板上和离线电源转换、电动汽车的车载充电器与 DC–DC 转换器、消费电子快充设备，以及 5G/6G 基站和雷达系统的射频功率放大。未来，随着 GaN 晶圆尺寸扩展（如 300mm 晶圆）、GaN 集成电路的推出以及制造成本的持续降低，在汽车、可再生能源和高效率计算等领域实现更广泛的应用。

2024 年全球功率 GaN 器件市场规模大约为 397 百万美元，预计 2031 年达到 2294 百万美元，2025-2031 期间年复合增长率（CAGR）为 26.6%。就销量而言，2024 年全球功率 GaN 器件销量为 ，预计 2031 年将达到 ，年复合增长率为 %。

功率 GaN 器件报告主要内容：
第一章：功率 GaN 器件报告研究范围，包括产品的定义、统计年份、研究方法、数据来源等。
第二章：主要分析全球功率 GaN 器件主要国家/地区的市场规模以及按不同分类及应用的市场情况
第三章：全球市场竞争格局，包括主要厂商功率 GaN 器件竞争态势分析，包括收入、市场份额、产品类型及总部所在地、行业潜在进入者、行业并购及扩产情况等。
第四章：全球功率 GaN 器件主要地区规模分析，统计指标收入、增长率等。
第五章：分析功率 GaN 器件美洲主要国家行业规模、产品细分以及各应用的市场收入情况
第六章：亚太主要国家功率 GaN 器件行业规模、产品细分以及各应用的市场收入情况的分析
第七章：欧洲主要国家功率 GaN 器件行业规模、产品细分以及各应用的市场收入情况的分析
第八章：中东及非洲主要国家功率 GaN 器件行业规模、产品细分以及各应用的市场收入情况的分析
第九章：全球功率 GaN 器件行业发展驱动因素、行业面临的挑战及风险、行业发展趋势等
第十章：全球主要地区功率 GaN 器件市场规模预测以及不同产品类型及应用的预测
第十一章：重点分析全球功率 GaN 器件核心企业，包括基本信息、产品及服务、收入、毛利率及市场份额、主要业务介绍以及最新发展动态
第十二章：报告总结

LP Information (路亿市场策略)调研团队最新发布的《全球功率 GaN 器件市场增长趋势 2025-2031》全面深入研究全球功率 GaN 器件市场的收入以及各个细分行业规模及趋势，重点关注全球主要生产商及其收入、毛利率、市场份额、产品及服务、最新发展动态等。此外，该报告还分析了行业发展特征、行业扩产、并购、竞争态势、驱动因素、阻碍因素、销售渠道等。更辅以大量直观的图表帮助本行业企业准确把握行业发展态势、市场商机动向、企业竞争战略和投资策略。