氧化镓 SBD 是一种基于氧化镓半导体材料的肖特基二极管，具备高耐压、低反向漏电和高效率特性，广泛应用于电源和功率电子领域。而氧化镓 MOSFET 则是一种基于氧化镓的金属氧化物半导体场效应管，具备高击穿电压、低导通电阻和高频性能，适用于电动汽车、光伏和工业电源等场景。
恒州诚思发布的氧化镓 SBD 和 MOSFET 市场报告，全面剖析了氧化镓 SBD 和 MOSFET 市场的现状、定义、分类、应用领域及产业链结构。报告还深入探讨了相关发展政策与规划，以及制造流程与成本构成，为行业内外提供了详尽的市场洞察与发展趋势预测。
据 YHResearch 调研团队最新发布的“全球氧化镓 SBD 和 MOSFET 市场报告 2024-2030”预测，到 2030 年，全球氧化镓 SBD 和 MOSFET 市场规模将达到 0.9 亿美元，未来几年的年复合增长率（CAGR）为 10.6%，展现出快速增长的态势。
从全球生产商格局来看，Sigetronics、Syrnatec 等企业是氧化镓 SBD 和 MOSFET 领域的佼佼者。据 YHResearch 头部企业研究中心调研，2024 年，全球前三大厂商占据了大约 73.0% 的市场份额，显示出市场集中度极高。
在产品类型方面，氧化镓 MOSFET 占据主导地位，市场份额约为 57.6%。而在应用领域，数据中心是最主要的需求来源，占比约为 32.0%，反映出数据中心高效率功率器件的强烈需求。
市场驱动因素：
氧化镓 SBD 和 MOSFET 的主要驱动因素在于其极高的击穿电场强度和优异的功率密度，使器件在高压、高温和高频场景下具有显著优势。同时，电动汽车快充、高压电源、数据中心电能管理及航天军工等领域对高效率功率器件需求旺盛。
市场阻碍因素：
然而，晶圆制备良率低、外延生长成本高、导热性能较弱、工艺成熟度不足以及封装与测试技术尚未完全适配等问题，导致整体成本仍高于 SiC 与 GaN 器件。
行业发展机遇：
尽管如此，氧化镓材料可实现 8 英寸以上大尺寸衬底量产，MOCVD 与 HVPE 外延技术进步将显著降低制造成本。配合车规级应用与高压直流输电市场的快速增长，预计未来 5 至 10 年，氧化镓 SBD 与 MOSFET 将在高压功率电子与能量转换领域实现突破性渗透。
领先企业介绍：
2024 年 7 月 22 日，韩国领先的化合物半导体公司 Sigetronics 宣布，已成功开发出采用氧化镓(Ga₂O₃)的下一代肖特基势垒二极管(SBD)，这是超快速开关功率半导体领域的突破性材料。氧化镓作为新一代超宽带隙(UWB)半导体材料，目前美国、日本等国正在积极研究。与碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等现有宽带隙材料相比，氧化镓具有更宽的能带隙和更高的临界电场强度，使其成为高压、大电流、高温和高效应用的理想选择。